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长鑫存储

长鑫科技、兆易创新受惠存储投资新周期，机构看好，资本价值再获提升

在存储行业整体上行的机遇中，兆易创新与长鑫科技的“设计+制造”协同模式，已成为中国半导体产业自主化进程中的战略范本。

2025-11-14
兆易创新长鑫存储
LPCAMM成为内存新支柱，长鑫量产LPDDR5X卡位高端赛道

AI的普及对内存提出了更高要求：既需具备LPDDR级别的高带宽与低功耗以支持本地AI推理，又需保留SO-DIMM的可升级性与可维护性。

2025-11-14
LPCAMM 内存长鑫存储
市场解析 | 中国存储新纪元：LPDDR5X结构性上行与长鑫的IPO机遇

LPDDR5X以其高带宽、低功耗与高集成度的综合优势，精准契合了终端AI对内存的苛刻要求，成为支撑端侧AI普及的关键基石。

2025-11-12
长鑫存储 LPDDR5
长鑫IEDM论文背后的产业信号：国产DRAM技术步入深水区

在更具颠覆性的DRAM技术方向上，长鑫存储提出了可在后端工艺线（BEOL）直接集成的多层堆叠DRAM架构。

2025-11-11
长鑫存储 DRAM
打入中芯国际和长鑫存储等供应链昊华科技拟2亿元设立全资子公司

2020年7月16日，昊华化工科技集团股份有限公司（以下简称昊华科技）发布公告公告称，为做强做优做大电子气体业务，公司拟在河南洛阳成立昊华气体有限公司（简称昊华气体，暂定

2020-07-17
长鑫存储半导体材料
四强联手长三角支持长鑫12英寸存储器基地项目建设

6月6日，在长三角一体化发展重大合作事项签约仪式上，长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目业务合作协议签约。

2020-06-08
长鑫存储存储器
长鑫存储DRAM投产；紫光科技出售67.82%股份

据新华社报道，9月20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相

2019-09-22
DRAM 长鑫存储
长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相，一期设计产能每

2019-09-20
存储器长鑫存储
长鑫存储首次公开亮相谈未来技术

长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。

2019-09-20
存储器长鑫存储