存储器封测厂力成总经理洪嘉鍮预估,第1季业绩可望较去年同期成长,有机会创同期新高,上半年模组表现正向看待,今年半导体市况可稳健成长。

观察去年第4季营运表现,力成昨天下午在法人说明会上表示,去年第4季NAND型快闪存储器产出增加、加上固态硬盘需求大增,带动去年第4季封测营收冲高,其中封装稼动率提高到90%到95%。

展望今年营运表现,洪嘉鍮表示,今年市况可稳健成长,其中智能手机过渡到5G阶段,需求看增,企业用电脑笔电更换需求增温;游戏机、电视和机顶盒需求看佳;云端和企业用资料中心需求成长;此外5G应用持续加温。

在动态随机存取存储器(DRAM)、快闪存储器和逻辑芯片部分,力成表示,相关应用需求可望带动存储器需求,DRAM价格持稳。

在力成本身封测部分,洪嘉鍮指出,标准型DRAM封测量持稳,产能持续满载,移动DRAM、利基型DRAM以及特殊型DRAM封测需求高于往年季节性表现,服务器存储器需求可望逐季成长。

在快闪存储器部分,洪嘉鍮表示,智能手机应用需求可能季节性调整,资料中心需求持稳,固态硬盘渗透率持续增加。

在系统级封装和模组部分,洪嘉鍮表示,相关需求看佳,产品组合改善。在逻辑芯片封测部分,公司表示,传统型封装需求正向看待,持续开发先进封装技术,目前模组厂稼动率接近满载。

展望今年半导体市况,洪嘉鍮预期,今年全球半导体市场可望年成长5%到6%区间。

他并预期,今年第1季和第2季系统级封装和模组表现看佳,第1季市况需求看佳,业绩可望较去年同期成长,有机会创同期新高。

展望今年资本支出,力成表示,去年资本支出规模约新台币110亿元左右,预估今年资本支出可超过百亿元。

法人预期,力成新产能将于第1季投产,布局3D NAND型快闪存储器封测,新产能可望在第1季贡献业绩。

另外服务器DRAM订单能见度可看到第1季底,预期第1季业绩可望较去年同期成长16%到17%,今年上半年力成在存储器封测表现可正向看待。

封面图片来源:力成官网