（2025年11月20日）近日，由长三角国创中心首个以“拨投结合”模式支持的重大项目公司——汉骅半导体有限公司（以下简称“汉骅”）宣布了一项重要技术突破——其自主研发的“超越摩尔GaN Plus”平台成功实现了8英寸硅基GaN MicroLED外延及多层堆叠技术的量产。这一创新不仅让MicroLED的发光效果更好、更稳定，还大大降低了生产成本，为AR（增强现实）微显示领域带来了全新的发展机遇。该平台有效解决了大尺寸硅基GaN外延性能不稳定、精细间距键合成品率低、全彩集成工艺复杂等行业难题，推动AR微显示技术向更高清、更亮、更省电的方向发展，对AR技术在各领域的普及具有重大意义。
随着AR技术的迅猛发展，其在智能眼镜、工业检查、医疗手术、军事模拟等多个领域的应用越来越广泛，市场对微显示屏的性能要求也越来越高。现在，AR微显示屏市场正从OLED和LCoS技术向MicroLED技术转型。MicroLED因其超高亮度、超长寿命和极快响应速度，被视为行业的“终极解决方案”。然而，MicroLED的商业化之路并不平坦，面临着三大难题：大尺寸硅基GaN外延性能不稳定，导致发光效率低；精细间距键合过程中成品率难以控制，影响产品一致性；全彩集成工艺复杂，增加了生产成本和难度。这些问题阻碍了MicroLED技术的快速发展和广泛应用。
面对这些挑战，汉骅半导体凭借其深厚的技术积累和不断创新的精神，成功研发出“超越摩尔GaN Plus”平台，并在MicroLED技术领域取得了多项重要突破: 外延技术实现飞跃：汉骅通过改进缓冲层结构设计、精确调控量子阱以及提升晶体质量，使得8英寸硅基GaN MicroLED外延的发光效率和可靠性都得到了显著提升。经过第三方机构测试和下游客户验证，其综合发光性能和量产可靠性已经超过了市场上的其他产品。Hybrid Bonding工艺创新不断：汉骅在8英寸hybrid bonding全流程上取得了重大进展，不仅成功实现了3.75μm工艺的量产，键合成品率高达95%以上，还在研发2.5μm工艺，预计未来像素密度将提升至2560PPI，满足高端AR眼镜对超高清显示的需求。多层堆叠技术引领潮流：汉骅创新地将3DIC工艺架构与MicroLED相结合，开发出了多层堆叠技术。通过hybrid bonding实现红、绿、蓝三色MicroLED外延晶圆的紧密连接，解决了传统全彩方案像素密度低和封装复杂的问题，加速了全彩MicroLED的商业化进程。
汉骅半导体自2022年以来，不断在MicroLED技术研发上取得新进展。从发布金属键合路线单绿色5μm MicroLED微显示屏Demo，到推出全球最小的单绿色2μm MicroLED Demo，再到完成产线全面升级至8英寸制程，汉骅始终走在MicroLED技术研发的前沿。
下一步，凭借在GaN外延与3DIC工艺融合实践中积累的丰富经验、专业的研发团队以及完善的实验设备，汉骅半导体将继续深耕GaN外延与3DIC工艺的融合创新，推动MicroLED微显示技术的规模化量产。公司计划进一步优化外延材料性能，提升hybrid bonding和金属键合工艺的精度和效率，降低生产成本，为下游客户提供更加优质、高效的微显示解决方案。
汉骅半导体董事长袁仪控表示：“汉骅将加强与产业链上下游企业的合作，共同推进AR微显示技术的标准化和规范化发展。通过提供从微显示外延材料到全流程代工的一站式服务，汉骅将帮助更多客户快速将产品推向市场，推动AR技术在更多专业场景的应用。同时，随着“超越摩尔GaN Plus”平台的不断完善和推广，汉骅半导体正引领AR微显示产业迈向一个新的发展阶段，开启更加精彩的未来。”
关于汉骅
汉骅成立于2017年，是长三角国创中心、苏州工业园区与创始团队三方共同发起，是长三角国创中心采用“拨投结合”创新方式支持的首个具备前瞻性、引领性的重大创新项目公司。汉骅凝聚海内外顶尖的半导体研发力量，拥有横跨宽禁带半导体材料和大规模集成电路的深厚技术储备、国际视野及工业界经验。经过多年的发展，汉骅半导体已在苏州工业园区核心区域建成了约20000平方米的厂区，配备了可容纳60台MOCVD设备的配套设施和在用5000平方米的洁净室。公司拥有完整4/6/8英寸兼容高端氮化镓材料量产产线，以及国内首条8英寸常温晶圆级异质集成量产线（可兼容集成电路工艺、MEMS工艺、化合物半导体工艺等），是集研发与大型生产为一体的国际顶尖先进半导体基地。
长三角国创中心的第一个拨投结合项目——苏州汉骅的故事
（原文链接：南京市人民政府）
氮化镓射频材料技术，是新一代无线通信技术（5G/6G）、卫星通信等应用的关键核心技术。(截至2024年10月）位于苏州工业园区的苏州汉骅半导体有限公司已建成年产能约30万片4/6/8英寸兼容高端氮化镓材料量产产线及国内首条8英寸Hybrid Bonding芯片集成量产产线，成为目前国内最大的GaN（氮化镓）材料生产基地。
而这个项目与江苏产研院的第一次牵手，正是实行“拨投结合”制度的开山之作。
2017年秋天，在海外的一场华人科学家座谈会上，从刘庆口中得知江苏产研院相关情况的苏州汉骅半导体有限责任公司创始人顾星一路追出了会场。顾星的创业项目是先进半导体和芯片制造领域，早期需要大量资金和硬件设备投入。此前，顾星也曾尝试与风投对接，但因为风险高、回报周期长，让双方始终无法达成共识。市场资金“失灵”，顾星禁不住愁上心头。借着送刘庆一行去机场的机会，他在车上争分夺秒地做了“项目路演”，介绍氮化镓射频材料创业项目的技术特点和应用前景。
因为属于前沿技术项目，当时市场上没有可对标的公司，距离11月工信部宣布启动5G技术研发试验第三阶段工作也只有一个月。这么“新”的技术，能不能投？
“引领性技术创新项目风险高、周期长，容易导致技术方和投资方在价值判断上的错位，更需要财政资金的投入，来为创新‘撑腰’。”在充分考察和评估后，团队拍板，与苏州工业园区共同出资，采用“拨投结合”的方式支持。
在技术、团队和市场全面研判的基础上，团队、地方园区和产研院共同出资成立团队90%控股的项目公司，避免成功后团队“靠边站”，注册资本按项目经费的10%出资，团队占注册资本的90%，项目完成研发进行市场融资时，将前期财政资金按市场价格转化为投资，未获融资则宽容失败，保留转股权。
通过先拨后投、适度收益、适时退出的模式，既解决了前瞻性、引领性技术创新项目早期募资市场机制失灵的问题，又充分利用市场机制来确定项目支持强度和获利研发成果的收益，有效提升财政资金使用效率。
“江苏产研院的‘土壤’独一无二。”顾星有感而发，“这种方式既避免了创始团队股份被稀释，失去话语权，也能安心搞研发，不被资本‘踢着屁股往前走’。”他说，“既然我们回来了，也要把我们在海外所学的知识和积累的成果带回来。”
经过7年多坚持不懈的技术攻关，公司成功搭建全国首个多维度氮化镓大型技术平台，突破国外核心技术封锁，建成全国最大、覆盖维度最全的氮化镓材料生产基地，实现氮化镓外延片材料量产。同时，实现产业链上游关键材料国产替代，保障射频产业链供应链安全。
当年充满争议的产业投资，打开了此后长三角国创中心“拨投结合”制度的想象路径。发现痛点打通过程，不仅成就了汉骅半导体，也助推了我国半导体产业的发展。
